现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

STK14C88C-5C35M

数据手册
封装

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STK14C88C-5C35M
STK14C88C-5C35M
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 125 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Military
  • 速度
    35 ns
推荐的
OPN
STK14C88C-5C35M
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-DIP-32
封装名 CERDIP-32 (002-23724)
包装尺寸 24
包装类型 TUBE
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-DIP-32
封装名 CERDIP-32 (002-23724)
包装尺寸 24
包装类型 TUBE
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌nvSRAM存储器提供传统SRAM的高性能，同时 提供非易失性带来的额外好处。 这些器件具有无限的耐久性，非常适合用于飞行数据记录器中的错误日志记录等应用。

特性

  • 256 Kbit 密度
  • 32K x 8 结构
  • 35 ns 访问时间
  • 无限耐久性
  • 20 年数据保留
  • -55 至 +125°C 军用温度等级
  • 32-pin陶瓷双列直插封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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