Half-Bridge Gate Driver ICs

Gate driver ICs to control power devices like MOSFETs or IGBTs in half-bridge topology

概述

Infineon's gate driver ICs are the expert’s choice. We offer half-bridge gate drivers with two interlocked channels. Infineon offers half-bridge gate driver ICs with advanced Infineon silicon-on-insulator (SOI) technology or our industry-proven p-n junction-isolation (JI) technology. Automotive-qualified half-bridge gate driver ICs are also available.

关键特性

  • Voltages: 1200 V, 650 V, <200 V
  • Advanced SOI technology options
  • Market-proven JI technology options
  • Two interlocked channels
  • High power efficiency
  • Fast & reliable switching
  • Reliable and rugged
  • Protection under abnormal operation
  • low-cost bootstrap power supply
  • dV/dt immune
  • Several pin-out and package options

产品

关于

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 简介

英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发，推出了一系列栅极驱动器集成电路，可用于硅和宽带隙功率器件，如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。我们提供优秀的产品系列，包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、<200 V、500-650 V 和 1200 V 电平转换栅极驱动器。

英飞凌 EiceDRIVER(TM) 栅极驱动器 IC 产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。最先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路，以充分利用其容量和功能。无论是分立式还是电源模块中的电源开关，最佳的栅极驱动器配置都是必不可少的。

EiceDRIVER™ 平移绝缘体上硅 (SOI) 技术

我们的绝缘体上硅（SOI）技术是一种高电压电平转换技术，具有同类优异的独特优势，包括集成自举二极管（BSD）和业界优秀的稳健性，可抵御负瞬态电压尖峰。每个晶体管都由内部的二氧化硅隔离，从而消除了导致锁存的寄生双极晶体管。这项技术还能降低电平转换功率损耗，从而最大限度地减少器件开关功耗。这种先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，并具有更多技术优势。

进一步了解

EiceDRIVER ™ 平移结点隔离 (JI) 技术

p-n 结隔离 (JI) 技术是一种成熟的、久经考验的行业标准 MOS/CMOS 制造工艺。我们专有的高压集成电路 (HVIC) 和防闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，具有最佳性价比。 

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EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 简介

英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发，推出了一系列栅极驱动器集成电路，可用于硅和宽带隙功率器件，如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。我们提供优秀的产品系列，包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、<200 V、500-650 V 和 1200 V 电平转换栅极驱动器。

英飞凌 EiceDRIVER(TM) 栅极驱动器 IC 产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。最先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路，以充分利用其容量和功能。无论是分立式还是电源模块中的电源开关，最佳的栅极驱动器配置都是必不可少的。

EiceDRIVER™ 平移绝缘体上硅 (SOI) 技术

我们的绝缘体上硅（SOI）技术是一种高电压电平转换技术，具有同类优异的独特优势，包括集成自举二极管（BSD）和业界优秀的稳健性，可抵御负瞬态电压尖峰。每个晶体管都由内部的二氧化硅隔离，从而消除了导致锁存的寄生双极晶体管。这项技术还能降低电平转换功率损耗，从而最大限度地减少器件开关功耗。这种先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，并具有更多技术优势。

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EiceDRIVER ™ 平移结点隔离 (JI) 技术

p-n 结隔离 (JI) 技术是一种成熟的、久经考验的行业标准 MOS/CMOS 制造工艺。我们专有的高压集成电路 (HVIC) 和防闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，具有最佳性价比。 

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