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概述

我们的栅极驱动器 IC 解决方案是专家的首选。我们提供的半桥栅极驱动器具有两个互锁通道。
现在有新型 650 V 半桥 Silicon on Insulator（SOI）栅极驱动器 IC，分大驱动电流（2.5 A）和小驱动电流（0.7 A）两种选项。这些栅极驱动器具有出色的坚固性和抗噪能力，非常适合电机驱动和大功率照明等应用。我们还提供符合车用标准的半桥栅极驱动器 IC。

产品

关于

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 简介

英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发，推出了一系列栅极驱动器集成电路，可用于硅和宽禁带功率器件，如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。我们提供优秀的产品系列，包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、<200 V、500-650 V 和 1200 V 电平转换栅极驱动器。

英飞凌 EiceDRIVER(TM) 栅极驱动器 IC 产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。最先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路，以充分利用其容量和功能。最佳的栅极驱动配置对于所有电源开关都至关重要，无论它们是分立式开关还是电源模块。

EiceDRIVER™ 平移绝缘体上硅 (SOI) 技术

我们的绝缘体上硅（SOI）技术是一种高电压电平转换技术，具有同类优异的独特优势，包括集成自举二极管（BSD）和业界优秀的稳健性，可抵御负瞬态电压尖峰。每个晶体管都由内部的二氧化硅隔离，从而消除了导致锁存的寄生双极晶体管。该技术还能降低电平转换功率损耗，从而最大限度地降低器件开关功耗。这种先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，并具有更多技术优势。

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EiceDRIVER ™ 平移结点隔离 (JI) 技术

p-n 结隔离 (JI) 技术是一种成熟的、久经考验的行业标准 MOS/CMOS 制造工艺。我们专有的高压集成电路 (HVIC) 和防闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，具有最佳性价比。 

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EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 简介

英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发，推出了一系列栅极驱动器集成电路，可用于硅和宽禁带功率器件，如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。我们提供优秀的产品系列，包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、<200 V、500-650 V 和 1200 V 电平转换栅极驱动器。

英飞凌 EiceDRIVER(TM) 栅极驱动器 IC 产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。最先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路，以充分利用其容量和功能。最佳的栅极驱动配置对于所有电源开关都至关重要，无论它们是分立式开关还是电源模块。

EiceDRIVER™ 平移绝缘体上硅 (SOI) 技术

我们的绝缘体上硅（SOI）技术是一种高电压电平转换技术，具有同类优异的独特优势，包括集成自举二极管（BSD）和业界优秀的稳健性，可抵御负瞬态电压尖峰。每个晶体管都由内部的二氧化硅隔离，从而消除了导致锁存的寄生双极晶体管。该技术还能降低电平转换功率损耗，从而最大限度地降低器件开关功耗。这种先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，并具有更多技术优势。

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EiceDRIVER ™ 平移结点隔离 (JI) 技术

p-n 结隔离 (JI) 技术是一种成熟的、久经考验的行业标准 MOS/CMOS 制造工艺。我们专有的高压集成电路 (HVIC) 和防闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，具有最佳性价比。 

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文档

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新闻与亮点

EiceDRIVER™ 2EDL 驱动器 IC 系列

EiceDRIVER™ 2EDL 600 V 半桥栅极驱动器 IC 系列基于电平转换器 SOI（绝缘体上硅）技术，集成了低欧姆超快速自举二极管，支持更高的效率和更小的尺寸。

具有高级保护功能的电流隔离栅极驱动器

XDPS2201 是一种多模式、数字可配置的混合反激式控制器，它将传统反激式拓扑的简单性与谐振转换器的性能结合在一起。

栅极驱动器解决方案 - 为什么英飞凌是最佳合作伙伴

本次培训深入了解了宽带隙器件的系统优势，这将在功率密度、效率和/或电池续航里程具有决定性作用的领域赢得市场份额。培训重点关注移动充电器和车载充电器两种应用，并将讨论当今解决方案面临的挑战以及 SiC 和 GaN 如何提供更高水平的性能。

英飞凌SOI栅极驱动器技术的优势

来自市场领导者的 1200 V 绝缘体上硅电平移位栅极驱动器。该视频演示了采用英飞凌 SOI 产品的优势。例如集成自举二极管，低电平转换损耗 - 节省空间和成本。