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将芯片作为独立组件或与功率模块中的硅功率器件结合使用,可实现最高的功率密度和效率。碳化硅二极管是进一步扩展 IGBT 技术功能的有利器件。

  • 更高的开关频率
  • 大电流处理能力
  • 极大地降低了开通损耗
  • 最佳使用性能

产品

关于

由于没有储存电荷,现代 IGBT 的导通损耗可以大大降低,因此与相应的纯硅解决方案相比,可以实现更高的开关频率和/或具有更高的电流处理能力。下面是采用碳化硅二极管与 IGBT 组合的功率模块,特别考虑了在目标应用中利用最佳性能形成理想的组合。

CoolSiC™ hybrid模块是为满足太阳能、储能系统、电动汽车充电桩或 UPS 等应用的特定要求而开发的。

采用碳化硅元件的电源模块数量还将逐步增加,使用碳化硅二极管与硅晶体管的组合,甚至是目前基于优异的 CoolSiC™ 技术的碳化硅晶体管。

从 EasyPACK™1B/2B 等封装到 EasyPACK™ 3B 等更大的封装,无论应用的功率如何,我们的功率模块 SiC 产品组合都能实现更高效的设计。

由于没有储存电荷,现代 IGBT 的导通损耗可以大大降低,因此与相应的纯硅解决方案相比,可以实现更高的开关频率和/或具有更高的电流处理能力。下面是采用碳化硅二极管与 IGBT 组合的功率模块,特别考虑了在目标应用中利用最佳性能形成理想的组合。

CoolSiC™ hybrid模块是为满足太阳能、储能系统、电动汽车充电桩或 UPS 等应用的特定要求而开发的。

采用碳化硅元件的电源模块数量还将逐步增加,使用碳化硅二极管与硅晶体管的组合,甚至是目前基于优异的 CoolSiC™ 技术的碳化硅晶体管。

从 EasyPACK™1B/2B 等封装到 EasyPACK™ 3B 等更大的封装,无论应用的功率如何,我们的功率模块 SiC 产品组合都能实现更高效的设计。

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