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高可靠性功率 MOSFET 单管

符合 DLA，耐压 -200 V 到 1000 V 的 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET

概述

英飞凌的 IR HiRel 高可靠性功率 MOSFET 单管拥有丰富的产品组合。基于我们闻名行业、坚固耐用的 MOSFET 技术，密封封装的 N 沟道和 P 沟道器件电压范围为 -200 V 到 1000 V。 这类产品专为高可靠性应用而设计，并在符合 MIL-PRF-19500 要求的生产线上制造，质量达到 MIL-PRF-19500 JANTX 和 JANTXV 或同等标准。符合 DLA QPL。

关键特性

  • 气密密封
  • 驱动要求简单
  • 动态 dv/dt 额定值
  • MIL-PRF-19500 制造流程

产品

关于

高可靠性制造技术

英飞凌在国防、航空航天和其他高可靠性应用中使用的 IR HiRel 产品数十年来一直符合 MIL-STD 要求，英飞凌非常了解受控的制造过程和流程。长期运行的 HiReL 系统通常需要的晶粒/晶片库存，可以保障供应的连续性。

高可靠性质量承诺

专注于稳定生产、持续改进、以及实现零缺陷是英飞凌成熟的质量管理体系的支柱。我们的 IR HiRel 在服务航空和国防制造商的过程中积累了宝贵经验。基于此，我们能够满足客户对设计控制和开发变更、零件识别和可追溯性、风险管理和供应连续性的严格要求。

HiRel COTS+ 扩展了产品认证和上筛服务

与 IR HiRel 合作可以获得英飞凌广泛的功率半导体解决方案组合，这些解决方案可以根据客户要求进行筛选，例如：

  • 100% 老化测试，检测早期“早期故障”
  • 磨损
  • 100%晶圆级探测
  • 扩展工作温度资格，包括 MIL 温度范围 -55°C 至 125°C
  • 将经过筛选的硅片组装到塑料封装中
  • 结合真空密封包装，进行 5 年期可焊性测试（延长保质期）
  • JANP 现有塑料包装产品升级筛选

通过 IR HiRel，还可以为可用于航天、航空电子、国防、医疗等领域高可靠性电子设计的英飞凌 COTS 和汽车零部件提供延长的产品寿命或支持服务（如芯片/晶圆库）。这满足了长期供应产品的需求，解决了产品过保后不提供技术支持的问题，节省了重新认证的成本，对高可靠性应用至关重要。

高可靠性制造技术

英飞凌在国防、航空航天和其他高可靠性应用中使用的 IR HiRel 产品数十年来一直符合 MIL-STD 要求，英飞凌非常了解受控的制造过程和流程。长期运行的 HiReL 系统通常需要的晶粒/晶片库存，可以保障供应的连续性。

高可靠性质量承诺

专注于稳定生产、持续改进、以及实现零缺陷是英飞凌成熟的质量管理体系的支柱。我们的 IR HiRel 在服务航空和国防制造商的过程中积累了宝贵经验。基于此，我们能够满足客户对设计控制和开发变更、零件识别和可追溯性、风险管理和供应连续性的严格要求。

HiRel COTS+ 扩展了产品认证和上筛服务

与 IR HiRel 合作可以获得英飞凌广泛的功率半导体解决方案组合，这些解决方案可以根据客户要求进行筛选，例如：

  • 100% 老化测试，检测早期“早期故障”
  • 磨损
  • 100%晶圆级探测
  • 扩展工作温度资格，包括 MIL 温度范围 -55°C 至 125°C
  • 将经过筛选的硅片组装到塑料封装中
  • 结合真空密封包装，进行 5 年期可焊性测试（延长保质期）
  • JANP 现有塑料包装产品升级筛选

通过 IR HiRel，还可以为可用于航天、航空电子、国防、医疗等领域高可靠性电子设计的英飞凌 COTS 和汽车零部件提供延长的产品寿命或支持服务（如芯片/晶圆库）。这满足了长期供应产品的需求，解决了产品过保后不提供技术支持的问题，节省了重新认证的成本，对高可靠性应用至关重要。

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