了解英飞凌 QML-V 认证的快速异步 SRAM

航天领域可靠性最高的抗辐射异步 SRAM

在高性能空间计算中，数据缓冲需求超过了 MCU 或 FPGA 中的片上内存容量。系统设计人员需要性能更高的内存来满足应用程序的实时处理需求。由于辐射效应和技术缺陷密度会导致 SRAM 中不可避免的比特错误，因此卓越的辐射性能对于满足任务要求也至关重要。

英飞凌的新型抗辐射 SRAM 具有 8 位、16 位和 32 位宽的配置，提供用于单位纠错的嵌入式纠错码 (ECC)。这项先进的技术使 ECC 逻辑能够在读取周期内检测并纠正任何读取数据字中的单位错误。

新型异步 SRAM 采用英飞凌专利的RADSTOP™技术设计，可满足极端环境下的所有辐射要求。

英飞凌抗辐射异步 SRAM 的优势
  • 技术 FIT 率比不带 ECC 的标准 SRAM 可靠 1000 倍
  • 嵌入式单错误校正 (SEC) 故障率低于 1e-10 错误/位天
  • 具有片上 ECC 的单芯片解决方案可减少电路板空间、成本和设计复杂性，并提供 10ns 访问时间的高性能
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