了解有关并联功率 MOSFET 的更多信息

当今大多数应用都持续需要更高的功率能力。在某些应用中，单个 MOSFET 是不够的。在这些应用中，设计人员必须在多个并联的 MOSFET 之间共享电流负载。

并联连接 MOSFET 同时确保包括安全操作和可靠性在内的坚固设计是一项挑战。并联设备之间的电流共享通常不太容易理解，如果操作不当，可能会导致现场意外的系统故障。

英飞凌已开发相关资料来解释这些挑战并提供解决方案，帮助设计人员在设计电源转换器时应用正确的方法。

一款展示并联 MOSFET 的演示板现已推出：低压驱动可扩展电源演示板

相关产品系列和设计支持

在开关条件下并联变得更具挑战性，并且随着频率的增加而变得更具挑战性。并联 MOSFET 时，必须了解并确保 MOSFET 之间的适当电流平衡，理解影响电流共享、传导损耗、开关损耗的 MOSFET 参数以及栅极阈值电压对器件温度的重要性。

英飞凌一流的 OptiMOS™ LV/MV MOSFET 和 CoolMOS™ HV MOSFET 旨在提供极致性能以及最高的效率和功率密度。了解有关我们的创新解决方案的更多信息

设计支持

视频和培训

视频

大电流应用中 MOSFET 并联简介

了解为什么在电机驱动等大电流应用中需要并联多个 MOSFET。

大电流应用中 MOSFET 并联的实际示例

该视频将展示影响电流共享的 MOSFET 参数，并通过台架测试演示量化电流和功率耗散不平衡。

培训

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大电流应用中并联MOSFET

本培训定性和定量地描述了并联 MOSFET 中的电流共享。

观看视频 观看中文在线学习

网络研讨会和问答

为您的应用选择合适的功率MOSFET封装

在本次网络研讨会中，英飞凌专家 Francesca Pastorelli 将解释如何为您的设计选择合适的功率 MOSFET 封装。参与者将学习如何使用英飞凌新发布的 20 V 至 300 V 功率 MOSFET 封装来克服 SMPS、BMS 和电机驱动应用中的热行为、大电流和高功率密度等挑战。

 

为应用选择合适的 MOSFET

在本次网络研讨会中，我们将讨论 MOSFET 的各种特性以及它们所采用的技术如何影响它们对不同应用的适用性。您将了解应用程序如何影响 FET 的选择以及为什么 FET 采用不同的技术。

下载以获取更多信息

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尖端功率 MOSFET 技术

相关产品系列和设计支持

在开关条件下并联变得更具挑战性，并且随着频率的增加而变得更具挑战性。并联 MOSFET 时，必须了解并确保 MOSFET 之间的适当电流平衡，理解影响电流共享、传导损耗、开关损耗的 MOSFET 参数以及栅极阈值电压对器件温度的重要性。

英飞凌一流的 OptiMOS™ LV/MV MOSFET 和 CoolMOS™ HV MOSFET 旨在提供极致性能以及最高的效率和功率密度。了解有关我们的创新解决方案的更多信息

设计支持

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大电流应用中 MOSFET 并联简介

了解为什么在电机驱动等大电流应用中需要并联多个 MOSFET。

大电流应用中 MOSFET 并联的实际示例

该视频将展示影响电流共享的 MOSFET 参数，并通过台架测试演示量化电流和功率耗散不平衡。

培训

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大电流应用中并联MOSFET

本培训定性和定量地描述了并联 MOSFET 中的电流共享。

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网络研讨会和问答

为您的应用选择合适的功率MOSFET封装

在本次网络研讨会中，英飞凌专家 Francesca Pastorelli 将解释如何为您的设计选择合适的功率 MOSFET 封装。参与者将学习如何使用英飞凌新发布的 20 V 至 300 V 功率 MOSFET 封装来克服 SMPS、BMS 和电机驱动应用中的热行为、大电流和高功率密度等挑战。

 

为应用选择合适的 MOSFET

在本次网络研讨会中，我们将讨论 MOSFET 的各种特性以及它们所采用的技术如何影响它们对不同应用的适用性。您将了解应用程序如何影响 FET 的选择以及为什么 FET 采用不同的技术。

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