英飞凌推出面向 AI 数据中心电源设计的 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3驱动芯片，适用于硅基与氮化镓器件设计，封装兼容

技术资讯

02/06/2026

【2026年6月10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3。这是一款120 V，兼容硅（Si）和氮化镓（GaN）器件的驱动芯片。随着AI数据中心向更高的功率密度迈进，电源工程师会希望在不更改 PCB 的情况下，能够灵活地评估和比较硅与氮化镓方案。这对 HV/MV IBC 设计尤为重要。2EDL90xG3直接满足了这一需求。其独特的内置5 V 栅极钳位功能进一步简化了 GaN 栅极驱动电源的设计，从而实现与 Si 器件共 PCB。

2EDL90xG3提供了五种可配置的工作模式，能够支持多种电源拓扑。其双浮地输出架构与5 V 栅极钳位相结合，可实现同时适用于基于硅和氮化镓设计的混合开关电容（HSC）拓扑。该器件拥有4 A 拉电流（source）和6 A灌电流（sink）的高驱动强度，为驱动 HV-IB的次级侧提供了极高的灵活性。此外，内部集成的电流采样放大器具有典型的5 MHz 高带宽以及高达 35 V的高共模电压抗干扰能力，有效减少了系统物料清单（BoM）并提升了功率密度。该电流采样放大器在满量程下可提供典型值1%的高精度，支持精确的控制环路调节以及快速的过流和短路保护。内部集成的自举二极管则进一步缩减了半桥和全桥应用中的电路板空间及系统 BoM。2EDL90xG3采用紧凑的 QFN 3*3 16引脚封装。

该驱动芯片针对英飞凌广泛的 AI 服务器供电产品组合进行了优化。英飞凌的产品涵盖了从电网到核心（From Grid to Core）的完整供电链，包括固态变压器（SST）和固态断路器（SSCB）、电源（PSU）及电池备份单元（BBU）、中间总线变换器（IBC）以及第二级直流转换电源模块（VRM）。通过将硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的互补优势相结合，英飞凌为客户提供了一条清晰且经市场验证的端到端电源架构设计路径。该产品组合还拥有持续的设计资源支持，以及专门为下一代 AI 服务器平台量身定制的可扩展、高质量的元器件。

供货情况

2EDL900G3和2EDL901G3的样品现已开始提供。更多详情，敬请访问：www.infineon.com/part/2EDL900G3 和www.infineon.com/part/2EDL901G3。

 

英飞凌将参加 PCIM Europe 2026

欧洲电力电子系统及元器件展（PCIM Europe）将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡举行。英飞凌将在7号展厅470号展台展示其低碳化和数字化的产品和解决方案。媒体垂询请发送电子邮件至media.relations@infineon.com。行业分析师如想参加简报会，请发送电子邮件至MarketResearch.Relations@infineon.com。如要进一步了解英飞凌在PCIM 2026展会上的亮点，敬请访问www.infineon.com/pcim。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约57,000名员工（截至2025年9月底），在2025财年（截至9月30日）的营收约为147亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的 OTCQX 国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。

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英飞凌 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3是一款兼容硅和氮化镓器件的驱动芯片

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Michael Burner

电源与传感系统事业部、消费、计算与通讯业务发言人

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