现货，推荐

EVAL_HB_PARALLELGAN

评估半桥配置中CoolGaN ™ 600 V HEMT的并联，以实现更高功率的应用。
应用笔记
评估板

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

EVAL_HB_PARALLELGAN
EVAL_HB_PARALLELGAN
应用笔记

商品详情

  • 主板类型
    Evaluation Board
  • 产品名称
    EVAL_HB_ParallelGaN
  • 供电电压 max
    450 V
  • 尺寸
    78mm×60mm×28mm
  • 拓扑结构
    Boost, BCM, Buck, Phase Shift Full Bridge, PFC Interleave, PFC, LLC, Half Bridge, Full Bridge, Chopper
  • 目标应用程序
    Charger, EV Charger, Drives, Energy Storage, Industrial Drives, Motor Control & Drives, Power
  • 系列
    CoolGaN™
  • 认证标准
    Standard
  • 输入类型
    DC, AC
  • 输出电压 max
    450 V
  • 输出电流 max
    24 A
推荐的
OPN
EVALHBPARALLELGANTOBO1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 N/A
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 N/A
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EVAL_HB_ParallelGaN 是一个测试平台，用于研究英飞凌 CoolGaN ™的家具操作以实现更高的功率水平。它高达 MHz 级别的动态和静态电流共享检查，并可作为 PCB 布局实践的参考。该板可作为硬件板或设计参考使用，并包括隔离控制和感应共模信号器等功能。

特性

  • 评估半桥环境中GaN并联的优势和问题
  • 可配置为降压、升压或脉冲操作，以实现硬开关或软开关
  • 可通过单独的分流电阻器监控静态和动态电流共享
  • 可调死区时间

产品优势

  • 通过有效放电RDS(on)减半来加倍电流承载能力
  • 单个驱动器可以驱动两个并联的GaN器件

应用

Bill of Material

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案