现货,推荐
符合RoHS标准

EVAL_QDPAK_FB_V2_1

采用全桥拓扑结构 Q-DPAK 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 高速开关评估平台

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EVAL_QDPAK_FB_V2_1
EVAL_QDPAK_FB_V2_1

商品详情

  • 主板类型
    Evaluation Board
  • 供电电压
    20 V to 500 V
  • 尺寸
    220 mm x 160 mm x 80 mm
  • 拓扑结构
    Full Bridge
  • 目标应用程序
    Automotive
  • 系列
    MOSFET
  • 输入类型
    DC
  • 输出电压 min
    400 V
OPN
EVALQDPAKFBV21TOBO1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EVAL_QDPAK_FB_V2_1 评估板评估 Q-DPAK 封装中 CoolSiC ™ 750 V MOSFET 的开关能力。其具有四个 SiC MOSFET 和 EiceDRIVER ™驱动器 IC,用于隔离电压供应。该电路板通过电力环路设计针对高速开关进行了优化,人员展示了 Q-DPAK 封装中开关设备的最佳使用,非常适合突破电力电子边界的开发和工程师。

特性

  • CoolSiC ™汽车 MOSFET 750 V G2
  • 多功能评估平台
  • 最佳电力环路设计
  • 板载专用电压探头

产品优势

  • 轻松评估切换行为
  • 展示如何使用Q-DPAK封装
  • 快速获取电压波形

文档

设计资源