不建议用于新设计

GS65011-EVBEZ

开环升压转换器评估板旨在评估带有 GaN 功率晶体管的 GaN EZDrive 解决方案
用户手册

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GS65011-EVBEZ
GS65011-EVBEZ
用户手册

商品详情

  • Power max
    200 W
  • Input Voltage
    0 V to 200 V
  • Input Type
    DC
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
GS65011-EVBEZ 是基于 GaN 的开环 DC/DC 升压转换器。它由 EZDrive GaN 驱动电路、Si MOSFET PWM 控制器和 CoolGaN ™功率晶体管 GS-065-011-1-L 采用 5×6 PDFN 封装组装而成。PWM 控制信号由 PWM 控制器 U2 内部生成。EZDrive 使用 Si MOSFET 控制器来驱动 GaN 功率晶体管，它由两个齐纳二极管、一个电容器、三个电阻器和一个二极管组成。

特性

  • 用于 GaN E-HEMT 的 Si MOSFET 转换器
  • 无需冗余 GaN 驱动器和 LDO
  • 可控开启/关闭压摆率

产品优势

  • 低成本
  • 元件数量少
  • 电路板面积更小

应用

Bill of Material

文档

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设计资源

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "向社区提问" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "查看所有讨论" } ] }