1ED020I12-F2
在产
符合RoHS标准
无铅

1ED020I12-F2

具有有源米勒钳位、DESAT 和短路钳位的 1200 V 单高侧栅极驱动器 IC

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1ED020I12-F2
1ED020I12-F2

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    11 V
  • VBS UVLO (On)
    12 V
  • VCC UVLO (Off)
    3.8 V
  • VCC UVLO (On)
    4.1 V
  • 关断传播延迟
    165 ns
  • 开通传播延迟
    170 ns
  • 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 输出电流 (Source)
    2 A
  • 输出电流 (Sink)
    2 A
  • 通道数
    1
  • 配置
    High-side
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Functional
OPN
1ED020I12F2XUMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 N/A
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™ 1200 V 高端栅极驱动器,具有典型的 2 A 拉电流和 2 A 灌电流,采用 DSO-16 宽体封装,适用于 IGBT。所有逻辑引脚均兼容 5 V CMOS,可直接连接到微控制器。通过集成无芯变压器技术实现跨电流隔离的数据传输。

特性

  • 单通道隔离栅极驱动器
  • 适用于高达 1200 V 的 Si 和 SiC 开关
  • 2 A 轨至轨典型值输出电流
  • 精确的 DESAT 保护
  • 有源米勒钳位
  • 有源关断和短路钳位
  • 28 V 绝对最大电压。输出电源电压
  • 170/165 ns 典型值。传播延迟
  • 12/11 V 输出 UVLO
  • ≥ 100 kV/µs CMTI

产品优势

  • 紧密的传播延迟匹配:容差提高了应用的稳健性,而不会因老化、电流和温度而发生变化
  • 精密的集成滤波器可减少各种工作条件下的传播延迟变化;减少对外部滤波器的需求
  • 紧密的传播延迟可实现最短的死区时间,从而提高系统效率并降低谐波失真
  • 宽体封装,爬电距离为 8 毫米
  • 对正向和负向瞬变具有免疫力,可提高最终产品的可靠性
  • 切换频率至 MHz 范围时功率损耗低

图表

Block_diagram_1ED020I12-F2
Block_diagram_1ED020I12-F2
Block_diagram_1ED020I12-F2 Block_diagram_1ED020I12-F2 Block_diagram_1ED020I12-F2
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设计资源

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