1ED3127MU12F
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

1ED3127MU12F

10 A，3 kV（rms）单通道隔离式栅极驱动器，带有源米勒钳位，UL 1577 认证，12 V 欠压锁定
数据手册
封装

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1ED3127MU12F
1ED3127MU12F
数据手册


商品详情

  • PD输出
    500 mW
  • RDSON_H（典型值）
    0.38 Ω
  • RDSON_L（典型值）
    0.28 Ω
  • RDSON_L（最大值）
    0.6 Ω
  • RthJA
    151 K/W
  • VBS UVLO (On)
    12.5 V
  • VBS UVLO (Off)
    10.5 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.5 V
  • VCC UVLO (On)
    3.1 V
  • 产品名称
    1ED3127MU12F
  • 关断传播延迟
    90 ns
  • 导通电阻 (RDSON_H)（最大值）
    0.65 Ω
  • 封装
    PG-DSO-8
  • 开通传播延迟
    90 ns
  • 拓扑结构
    High-side
  • 电压等级
    2300 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    3.1 V 至 17 V
  • 输出电流 (Source)
    10 A
  • 输出电流 (Sink)
    9 A
  • 通道
    1
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Functional

推荐的
OPN
1ED3127MU12FXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER™ 结构紧凑的单通道隔离式栅极驱动器，DSO-8 窄体封装，具有典型值 10 A 灌电流和拉电流，适用于 IGBT、MOSFET、SiC MOSFET。 该器件具备专为 SiC MOSFET 优化的欠压锁定（UVLO）、精确且稳定的时序特性；并支持主动关断功能，可在输出芯片未接入电源时确保 IGBT 处于安全关断状态；同时集成短路钳位功能，在短路期间限制栅极电压。

特性

  • 单通道隔离式栅极驱动器
  • 适用于最高 2300 V Si 和 SiC 开关器件
  • 支持 2300 V 功能偏移电压。
  • 采用电流隔离式无芯变压器隔离技术
  • 典型峰值输出灌电流/拉电流 10 A
  • 输出绝对最大电压 40 V
  • 传播延迟 90 ns
  • 高共模瞬态抗扰度 CMTI > 200 kV/μs
  • 主动米勒钳位
  • 短路钳位保护
  • DSO-8 150 mil 窄体封装
  • 带迟滞的欠压锁定（UVLO）保护
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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