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1EDN7126G

了解 EiceDRIVER™ 200 V 适用于 GaN SG HEMT 和 MOSFET 的高边 TDI 栅极驱动芯片
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1EDN7126G
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商品详情

  • Turn Off Propagation Delay
    75 ns
  • Package
    PG-VSON-10
  • Turn On Propagation Delay
    75 ns
  • Voltage Class
    200 V
  • Qualification
    Industrial
  • Output Current
    1.5 A
  • Output Current (Sink)
    1.5 A
  • Output Current (Source)
    1.5 A
  • Channels
    1
  • Configuration
    High-side
受到推崇的
OPN
1EDN7126GXTMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-VSON-10
封装名 N/A
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VSON-10
封装名 -
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
1EDN71x6Gx 是单通道栅极驱动芯片系列，针对英飞凌  CoolGaN™  SG HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和硅 MOSFET 进行了优化。 该栅极驱动器包含几个关键特性，可通过快速开关晶体管实现高性能系统设计，包括真正差分输入 (TDI)、1.5 A 峰值源电流和灌电流、有源米勒钳位、可调电荷泵和自举电压钳位。

特性

  • 200W x 2，4Ω，总谐波失真加噪声 (THD+N) 为 10%
  • 2x100W 时无需散热器运行
  • 2x200W，4Ω 时效率为 95%
  • 分体式或单电源
  • 差分或单端输入
  • 2xSE、BTL、PSE（并联 SE）
  • OCP、OTP 和 UVLO，带复位功能
  • 启动/停止咔嗒声抑制
  • 削波和故障报告输出

应用

医疗

文档

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设计资源

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开发者社区

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