2ED1321S12M
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2ED1321S12M

带有集成自举二极管和 OCP 的 1200 V 高侧/低侧栅极驱动器 IC
数据手册
封装

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2ED1321S12M
2ED1321S12M
数据手册


商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    11.3 V
  • VBS UVLO (On)
    12.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    11.3 V
  • VCC UVLO (On)
    12.2 V
  • 产品名称
    2ED1321S12M
  • 关断传播延迟
    350 ns
  • 开通传播延迟
    350 ns
  • 拓扑结构
    Low-side, High-side and low-side, High-side
  • 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 最低 输入Vcc
    13 V
  • 输出电流 (Source)
    2.3 A
  • 输出电流 (Sink)
    4.6 A
  • 通道
    2
  • 隔离类型
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)

推荐的
OPN
2ED1321S12MXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 N/A
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™ 1200 V 高侧/低侧栅极驱动器 IC，具有典型的 2.3 A 拉电流、4.6 A 灌电流，采用 DSO-16（300mils）封装，适用于 1200 V SiC MOSFET 和 IGBT 功率器件。2ED1321S12M 基于我们的 SOI 技术，该技术具有出色的坚固性和对 VS 引脚上的负瞬态电压的抗噪能力。由于该器件没有寄生晶闸管结构，因此该设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。

特性

  • 独特的薄膜（SOI）技术
  • 最大。靴子。伏特。（VB 节点）+1225 V
  • 工作电压 < + 1200 V
  • 负 VS 瞬态电压。免疫力
  • 2.3A/4.6 A 峰值输出源/接收器
  • 集成过流保护
  • ± 5% 高精度。参考阈值
  • 关断小于 1 us
  • Integr.超快速自举二极管
  • 死区时间和直通预防。
  • 启用、故障和可编程故障
  • 逻辑操作< -8 V（VS 引脚上）

图表

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