现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2ED1322S12M

集成自举二极管和 OCP 的 1200 V 高电流半桥栅极驱动器 IC
数据手册
封装
每件.
有存货

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2ED1322S12M
2ED1322S12M
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    11.3 V
  • VBS UVLO (On)
    12.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    11.3 V
  • VCC UVLO (On)
    12.2 V
  • 产品名称
    2ED1322S12M
  • 关断传播延迟
    500 ns
  • 开通传播延迟
    500 ns
  • 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc min
    13 V
  • 输出电流 (Source)
    2.3 A
  • 输出电流 (Sink)
    4.6 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    Half Bridge
  • 隔离类型
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
推荐的
OPN
2ED1322S12MXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 N/A
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 -
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EiceDRIVER ™ 1200 V 半桥栅极驱动器 IC，具有典型的 2.3 A 拉电流、4.6 A 灌电流和交叉传导预防功能，采用 DSO-16 (300mils) 封装，适用于 1200 V SiC MOSFET 和 IGBT 功率器件。2ED1322S12M 基于我们的 SOI 技术，该技术具有出色的坚固性和抗 VS 引脚上负瞬态电压的抗噪能力。由于该器件没有寄生晶闸管结构，因此该设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有非常强的抵抗力。

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 最大。靴子。伏特。（VB 节点）+1225 V
  • 工作电压 < + 1200 V
  • 负 VS 瞬态电压。免疫力
  • 2.3A/4.6 A 峰值输出源/接收器
  • 集成过流保护
  • ± 5% 高精度。参考阈值
  • 小于 1 us 过流感应
  • 积分。超快速自举二极管
  • 死区时间和直通预防。
  • 启用、故障和可编程故障
  • 逻辑操作< -8 V（VS 引脚上）

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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