现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2ED2184S06F

650 V、2.5 A 高电流半桥栅极驱动器 IC，集成自举二极管和关断功能，采用 DSO-8 封装
数据手册
封装
评估板

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2ED2184S06F
2ED2184S06F
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    7.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9.1 V
  • 产品名称
    2ED2184S06F
  • 关断传播延迟
    600 ns
  • 开通传播延迟
    600 ns
  • 电压等级
    650 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    10 V to 20 V
  • 输出电流 (Sink)
    2.5 A
  • 输出电流 (Source)
    2.5 A
  • 通道数
    2
  • 隔离类型
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
推荐的
OPN
2ED2184S06FXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
2ED21844S06J 是一款适用于 MOSFET 和 IGBT 的 650V 半桥大电流、高速栅极驱动器，采用 DSO-8 封装，典型灌电流和拉电流为 2.5A。它采用英飞凌的 SOI 技术，具有出色的坚固性和抗噪性，并且没有寄生晶闸管结构，可在各种条件下实现可靠的性能。

特性

  • 操作。电压（VS 节点）< + 650 V
  • 负。VS 瞬态抗扰度为 100 V
  • Integr.超快速自举二极管
  • 用于自举操作的浮动通道
  • 集成直通保护
  • 最大电源电压 25 V
  • 两个通道均具有独立的 UVLO
  • 200 ns 传播延迟
  • IN、/SD 输入逻辑
  • VS 引脚上的逻辑操作电压高达 -11 V
  • 负。输入电压容差为 –5 V
  • 适用于高侧开关

图表

Block_2ED2184S06F
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