不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

2EDF8275F

快速、坚固、双通道、功能强大、增强型 MOSFET 隔离栅极驱动器，提供精确和稳定的时序控制
数据手册
封装

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2EDF8275F
2EDF8275F
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    8 V
  • VBS UVLO (Off)
    7 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • 关断传播延迟
    37 ns
  • 开通传播延迟
    37 ns
  • 电压等级
    650 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    3 V to 3.3 V
  • 输入端电源
    20 V
  • 输出电流 (Source)
    4 A
  • 输出电流 (Sink)
    8 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    High-side, High-side and low-side, Half Bridge
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Functional
OPN
2EDF8275FXUMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
2EDF8275F 非常适合在嘈杂的高功率开关环境中对高端和低端 MOSFET 进行初级侧控制，实现稳健而稳定的运行。强大的 4A/8A 源/灌双通道栅极驱动器在驱动高压和中压 MOSFET（例如 CoolMOS ™或 OptiMOS ™时可实现快速开启/关闭。两个输出通道均单独隔离，并可灵活部署为具有极高 150V/ns CMTI 的浮动栅极驱动器。

特性

  • 快速电源切换，精准定时
  • 优化的低成本系统 BOM
  • 抗开关噪声的稳健设计
  • 输出到输出通道隔离
  • 输入到输出通道隔离

产品优势

  • 功率效率和高分辨率 PWM 控制
  • 保护和安全操作
  • 灵活分配任何驱动器通道
  • 浮栅驱动；监管安全

文档

文档

设计资源

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