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符合RoHS标准
无铅

2EDL8024G3C

120 V 高压侧和低压侧 2EDL8123G3C EiceDRIVER ™

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2EDL8024G3C
2EDL8024G3C

商品详情

  • VBS UVLO
    5.75 V
  • VCC UVLO
    7 V
  • Turn Off Propagation Delay
    45 ns
  • Package
    PG-VSON-10
  • Turn On Propagation Delay
    45 ns
  • Voltage Class
    120 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    8 V to 17 V
  • Output Current (Source)
    4 A
  • Output Current (Sink)
    6 A, 5 A
  • Channels
    2
  • Configuration
    High-side and low-side
  • Isolation Type
    Functional levelshift
OPN
2EDL8024G3CXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
2EDL8024G3C 是一款高端和低端驱动器,专为电信和数据通信应用等高级开关转换器而设计。2EDL8024G3C 采用具有内置滞后的独立输入,以增强抗噪能力。2EDL8024G3C 具有集成的 120 V 自举二极管以及精确的通道间传播延迟匹配 <6 ns,可确保伏秒平衡并避免磁芯饱和。该驱动器采用小型 3x3 行业标准无引线封装和引脚排列。

特性

  • 独立控制的高端和低端栅极驱动器
  • 高端和低端驱动器均具有 4 A 拉电流能力
  • 强大的 5 A 高端/6 A 低端灌电流能力
  • 片上自举二极管
  • 快速开关频率
  • 低死区损耗
  • 小型 3 mm x 3 mm SON 封装
  • 符合 RoHS 标准的无铅封装

产品优势

  • 高功率密度
  • 高效率
  • 高 MOSFET 可靠性
  • 高效率
  • 高 MOSFET 可靠性
  • 稳定运行

文档

设计资源

开发者社区

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