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封装

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2N6800
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@100°C)
    2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3 A
  • QPL部件号
    2N6800
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1000 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    400 V
  • 封装
    TO-205AF
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 质量等级
    DLA

OPN
2N6800EWSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
2N6800 是采用 TO-205AF 封装的高可靠性、400V、单 N 沟道 MOSFET。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

应用

文档

设计资源

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