现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMBG120R020M1

汽车级 1200V 碳化硅 (SiC) 沟槽功率 MOSFET，采用 D2PAK-7L 封装，20mΩ
数据手册
封装
每件.
有存货

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AIMBG120R020M1
AIMBG120R020M1
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    2667 pF
  • Coss
    126 pF
  • ID (@25°C) max
    104 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    468 W
  • QG
    82 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    19 mΩ
  • RthJC max
    0.32 K/W
  • VDS max
    1200 V
  • VGSS, off
    0
  • VGSS, on
    20
  • Package
    TO-263-7
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Launch year
    2023
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Qualification
    Automotive
受到推崇的
OPN
AIMBG120R020M1XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
PSoC™ 4200L 产品系列结合了具有数字可编程逻辑的微控制器、可编程模拟、可编程互连、片外存储器安全扩展、高性能模数转换、带比较器模式的运算放大器以及标准通信和定时外设。

特性

  • 革命性的半导体材料 - 碳化硅
  • 极低的开关损耗
  • 无阈值导通特性
  • 0V 关断栅极电压
  • 基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
  • 完全可控 dv/dt
  • 换向稳健的体二极管，可用于同步整流
  • 温度无关的关断开关损耗
  • 用于优化开关性能的感测引脚
  • 适用于高压爬电距离要求
  • XT 互连技术，实现一流的热性能

产品优势

  • 提高效率
  • 实现更高的频率
  • 提高功率密度
  • 减少冷却工作量
  • 降低系统复杂性和成本

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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