现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMBG120R160M1

CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V G1p in D2PAK-7 package
数据手册
封装

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AIMBG120R160M1
AIMBG120R160M1
数据手册

商品详情

  • Ciss
    350 pF
  • Coss
    20 pF
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    106 W
  • QG
    14 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    160 mΩ
  • RthJC max
    1.42 K/W
  • VDS max
    1200 V
  • VGSS, off
    0
  • VGSS, on
    20
  • 封装
    TO-263-7
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 推出年份
    2023
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
AIMBG120R160M1XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
With Infineon’s performance optimized chip technology (Gen1p), the SiC MOSFET features best-in-class switching performance, robustness against parasitic turn-ons, as well as improved RDSon and Rth(j-c). High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities and significant reductions in system costs making it an ideal choice for on-board charger and DCDC applications.

特性

  • 革命性的半导体材料 - 碳化硅
  • 极低的开关损耗
  • 无阈值导通特性
  • 0V 关断栅极电压
  • 基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
  • 完全可控 dv/dt
  • 换向稳健的体二极管，可用于同步整流
  • 温度无关的关断开关损耗
  • 用于优化开关性能的感测引脚
  • 适用于高压爬电距离要求
  • XT 互连技术，实现一流的热性能

产品优势

  • 提高效率
  • 实现更高的频率
  • 提高功率密度
  • 减少冷却工作量
  • 降低系统复杂性和成本

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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