现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMZH120R060M1T

汽车级 1200V 碳化硅 (SiC) 沟槽功率 MOSFET，采用 TO247-4L（细引线），60mΩ
数据手册
封装
每件.
有存货

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AIMZH120R060M1T
AIMZH120R060M1T
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    38 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    60 mΩ
  • VDS max
    1200 V
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Launch year
    2023
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Qualification
    Automotive
受到推崇的
OPN
AIMZH120R060M1TXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
凭借英飞凌性能优化的芯片技术 (Gen1p)，SiC Mosfet 具有一流的开关性能、抗寄生导通的稳健性以及改进的 RDSon 和 Rth(jc)。高功率密度、卓越的效率、双向充电功能以及显著降低的系统成本使其成为车载充电器和 DCDC 应用的理想选择。

特性

  • 极低的开关损耗
  • 更高的开启电压 VGS(on)= 20 V
  • 同类最佳的开关能量
  • 最低的器件电容
  • 低 Crss/Ciss 比和高 VGS(th)，可避免寄生开启
  • 降低总栅极电荷 QGtot，从而降低驱动功率和损耗
  • .XT 芯片贴装技术，实现同类最佳的热性能
  • 感测引脚，可优化开关性能
  • 适合高压爬电距离要求
  • 更细的引线，可降低焊桥风险

产品优势

  • 提高效率
  • 实现更高的频率
  • 提高功率密度
  • 减少冷却工作量
  • 降低系统复杂性和成本

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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