AIMZH120R160M1T
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMZH120R160M1T

CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V G1p in TO247-4L package
数据手册
封装

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AIMZH120R160M1T
AIMZH120R160M1T
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    17 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    160 mΩ
  • 最高 VDS
    1200 V
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 推出年份
    2023
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
AIMZH120R160M1TXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
凭借英飞凌性能优化的芯片技术 (Gen1p)，SiC Mosfet 具有一流的开关性能、抗寄生导通的稳健性以及改进的 RDSon 和 Rth(jc)。高功率密度、卓越的效率、双向充电功能以及显著降低的系统成本使其成为车载充电器和 DCDC 应用的理想选择。

特性

  • 极低的开关损耗
  • 更高的开启电压 VGS(on)= 20 V
  • 同类最佳的开关能量
  • 最低的器件电容
  • 低 Crss/Ciss 比和高 VGS(th)，可避免寄生开启
  • 降低总栅极电荷 QGtot，从而降低驱动功率和损耗
  • .XT 芯片贴装技术，实现同类最佳的热性能
  • 感测引脚，可优化开关性能
  • 适合高压爬电距离要求
  • 更细的引线，可降低焊桥风险

产品优势

  • 提高效率
  • 实现更高的频率
  • 提高功率密度
  • 减少冷却工作量
  • 降低系统复杂性和成本

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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