AUIRF7675M2
在产
符合RoHS标准
无铅

AUIRF7675M2

150 V、N 通道、最大 56 mΩ、汽车 MOSFET、DirectFET SC、Gen 10.7
数据手册
封装

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AUIRF7675M2
AUIRF7675M2
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    90 A
  • 最高 Ptot
    45 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.7 W
  • Qgd
    7.1 nC
  • QG (typ @10V)
    21 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    32 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    56 mΩ
  • 最高 RthJA
    60 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    MG-WDSON-5
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    Gen 10.7
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 质量等级
    Automotive

推荐的
OPN
AUIRF7675M2TR
产品状态 active
英飞凌封装名称
MG-WDSON
封装名 DIRECTFET
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
MG-WDSON
封装名 DIRECTFET
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 先进的工艺技术
  • 针对 D 类音频放大器进行了优化
  • 低 RDS(on) 可提高效率
  • 低 Qg 可实现更佳的 THD 和效率
  • 低 Qrr 可实现更佳的 THD 和更低的 EMI
  • 低寄生电感
  • 每通道最大 250W，4Ω，无散热器/li>
  • 双面冷却
  • 工作温度 175°C
  • 重复雪崩能力
  • 无铅、无 RoHS 指令、无卤素
  • 符合 AEC 认证且符合 PPAP 要求的设备

产品优势

  • 减少振铃并降低 EMI
  • 提高了稳健性和可靠性
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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