AUIRS2123
在产
符合RoHS标准
无铅

AUIRS2123

适用于汽车应用的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。输出与输入同相。
数据手册
封装

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AUIRS2123
AUIRS2123
数据手册


商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    8 V
  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • 关断传播延迟
    140 ns
  • 封装
    8-Lead SOIC
  • 开通传播延迟
    140 ns
  • 拓扑结构
    High-side
  • 电压等级
    600 V
  • 质量等级
    Automotive
  • 输出电流 (Source)
    0.5 A
  • 输出电流 (Sink)
    0.5 A
  • 通道
    1
  • 隔离类型
    Functional levelshift

推荐的
OPN
AUIRS2123STR
产品状态 active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 N/A
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE,GB,TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE,GB,TW
AUIRS2123S 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固耐用的单片结构。RESET 输入与标准 CMOS 输出兼容。输出驱动器具有专为最小而设计的高脉冲电流缓冲级。交叉传导。浮动通道可用于驱动高压侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT，电压高达 600 V。

应用

文档

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