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符合RoHS标准
无铅

BGA10M1MN9

数据手册
封装
每件.
有存货

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BGA10M1MN9
BGA10M1MN9
每件.
数据手册

商品详情

  • ICC
    6.2 mA
  • IIP3
    -7 dBm
  • IP1dB
    -20 dBm
  • NF
    0.85 dB
  • P-1dB
    -20 dBm
  • VCC operating
    1.1 - 2.0 V
  • Gain
    20.6 dB
  • Size
    1.1 x 1.1 mm²
  • Frequency
    1800 – 2200 MHz
受到推崇的
OPN
BGA10M1MN9E6327XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSNP-9
封装名 N/A
包装尺寸 12000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSNP-9
封装名 -
包装尺寸 12000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
BGA10M1MN9 专为 4G 和 5G 应用而设计，涵盖 1.8 至 2.2 GHz 之间的 3GPP 频段（例如B1 和 B3）。由于 LNA 具有高增益和超低噪声系数性能，因此可以补偿前端损失并显著提高数据速率。MIPI接口提供对多种增益模式和偏置模式的全面控制，以增加整体系统动态范围。

特性

  • 频率范围：1.8 至 2.2 GHz
  • 功率增益：20.6 dB
  • 低噪声系数：0.85 dB
  • 低电流消耗：6.2 mA
  • 支持联发科、LSI 和 Qualcomm 平台的增益模式
  • MIPI RFFE 3.0
  • RF 输出内部匹配至 50 Ω
  • 支持 1.2 V 和 1.8 V VDD/VIO
  • 软件可编程 MIPI RFFE USID
  • 支持 4 个 USID
  • 小尺寸 1.1 mm x 1.1 mm
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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