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符合RoHS标准
无铅

BGA729N6

数据手册
封装
每件.
有存货

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BGA729N6
BGA729N6
每件.
数据手册

商品详情

  • I
    6.3 mA
  • IIP3
    -6 dBm
  • NF
    1.05 dB
  • P-1dB (in)
    -15
  • VCC 操作
    1.5 V to 3.3 V
  • 增益
    16.3 dB
  • 频率
    70 - 1000 MHz
OPN
BGA729N6E6327XTSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
TSNP-6-2
封装名 N/A
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
TSNP-6-2
封装名 -
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
BGA729N6 是一款宽带低功耗低噪声放大器 (LNA) MMIC，适用于便携式和移动电视应用，其频率范围覆盖 70 MHz 至 1000 MHz。在应用配置中，LNA 在 6.0 mA 的电流消耗下提供 16.3 dB 增益和 1.1 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 -4.0dB 的插入损耗。BGA729N6 基于英飞凌科技 B7HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.3 V。

特性

  • 插入功率增益：16.3 dB
  • 旁路模式下的插入损耗：-4.0 dB
  • 低噪声系数：1.1 dB / 高增益/旁路模式下 4.3 dB
  • 低电流消耗：6.0 mA
  • 关机功能
  • 工作频率：70 -1000 MHz
  • 三态控制：关闭、旁路和高增益模式
  • 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
  • 超小型 TSNP-6-2 无引线封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
  • B7HF 硅锗技术
  • 无需外部匹配电感
  • 射频输入和输出内部匹配至 50 Ω
  • 仅需 2 个外部 SMD 元件
  • 2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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