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符合RoHS标准
无铅

BGA9H1MN9

数据手册
封装
每件.
有存货

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BGA9H1MN9
BGA9H1MN9
每件.
数据手册

商品详情

  • ICC
    5.8 mA
  • IIP3
    -9 dBm
  • IP1dB
    -13 dBm
  • NF
    0.6 dB
  • P-1dB
    -13 dBm
  • VCC operating
    1.1 - 2.0 V
  • Gain
    20.2 dB
  • Size
    1.1 x 1.1 mm²
  • Frequency
    1400 - 2700 MHz
受到推崇的
OPN
BGA9H1MN9E6329XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSNP-9
封装名 N/A
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSNP-9
封装名 -
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
BGA9H1MN9 是一款用于 LTE 和 5G 的低噪声放大器，覆盖 1.4 GHz 至 2.7 GHz 的宽频率范围。在第 7 章描述的应用配置中，LNA 以 5.8 mA 的电流消耗提供高达 20.2 dB 的增益和 0.6 dB 的噪声系数。利用增益步进功能可以调整增益和线性度，以增加系统动态范围并适应不断变化的干扰情况。 BGA9H1MN9 支持 2 µA 的超低旁路电流和 1.2 V 的工作电压，以降低功耗。其工作电源电压范围为 1.1 V 至 2.0 V，且不随温度变化。紧凑的 9 针 TSNP-9 封装尺寸为 1.1 x 1.1 毫米，有助于节省 PCB 上的空间。

特性

  • 功率增益：20.2 dB
  • 低噪声系数：0.6 dB
  • 低电流消耗：5.8 mA
  • 频率范围：1.4 至 2.7 GHz
  • 电源电压：1.1 至 2.0 V
  • 集成 MIPI RFFE 接口，工作电压范围：1.65 至 1.95 V
  • 软件可编程 MIPI RFFE USID
  • USID 选择引脚
  • 小尺寸：1.1 mm x 1.1 mm
  • 高 EMI 稳健性
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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