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BGSA142M2N12

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高射频电压天线调谐 SP4T 开关
数据手册
封装

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BGSA142M2N12
BGSA142M2N12
数据手册

商品详情

  • Size
    1.5 x 1.5 mm²
  • Switch Type
    SP4T
  • Control Interface
    MIPI 2.0
  • Halogen-free
    yes
  • Frequency Range
    0.4 - 6.0 GHz
OPN
BGSA142M2N12E6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSNP-12
封装名 N/A
包装尺寸 7500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSNP-12
封装名 -
包装尺寸 7500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BGSA142M2N12 是一款多功能直接映射单刀四掷 (SP4T) 射频开关，针对低 COFF 和低 RON 进行了优化，可实现高达 6.0 GHz 的应用。包括 MIPI RFFE 数字控制接口，所有抛出状态都可以在同一个 RFFE 命令中进行编程，从而实现 SP4T、SP3T、SPDT 以及 SPST 拓扑，从而为 RF 前端设计提供更好的灵活性。
BGSA142M2N12 包括 4 个低 RON 和高 RF 电压端口，使其成为天线调谐和可调谐匹配网络应用的理想选择。RFC 以及 RF1、RF2、RF3 和 RF4 可以处理高 RF 电压（双向 RF 电压处理）。由于其在所有射频端口上都具有非常高的射频电压稳定性，因此它适合于切换任何无功设备（例如电感器和电容器），而不会产生重大损失。
与 GaAs 技术不同，0.1 dB 压缩点超过了开关最大输入功率水平，从而导致所有信号电平均具有线性性能，并且仅在外部施加直流电压时才需要在 RF 端口使用外部直流阻断电容器。

特性

  • 专为高线性度和高射频电压调谐应用而设计
  • 多种可选开关配置：
  • 每个开关均直接独立控制
  • 导通状态下，每个端口的低 RON 电阻为 1.75 Ω
  • 关闭状态下，每个端口的低 COFF 电容为 110 fF
  • 关闭状态下，RFx 处的高射频工作电压为 72 V，RFC 处的高射频工作电压为 67 V
  • 低谐波产生
  • MIPI 2.0 RFFE 控制接口
  • 通过 USID_sel 引脚上的外部条件和 SCLK/SDATA 交换模式启用 4 个 USID 地址
  • 电源电压范围：1.65 至 3.6 V
  • 电源电压范围内无射频参数变化
  • 小尺寸 1.5 mm x 1.5 mm（MSL1，260°C，符合 JEDEC J-STD-020)
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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