不建议用于新设计
符合RoHS标准

BSC014NE2LSI

数据手册
封装
每件.
有存货

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BSC014NE2LSI
BSC014NE2LSI
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    2700 pF
  • Coss
    1200 pF
  • ID (@25°C) max
    179 A
  • IDpuls max
    716 A
  • Ptot max
    74 W
  • QG (typ @4.5V)
    18.7 nC
  • QG (typ @10V)
    39 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    2 mΩ
  • Rth
    1.7 K/W
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.68 V
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Monolithically Integrated Schottky-like Diode
  • Budgetary Price €/1k
    0.5
OPN
BSC014NE2LSIATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
凭借 OptiMOS ™ 25V 产品系列，英飞凌为分立功率 MOSFET 和系统级封装的功率密度和能效设立了新标准。超低栅极和输出电荷，加上小尺寸封装中的最低导通电阻，使 OptiMOS ™ 25V 成为满足服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案苛刻要求的最佳选择。适用于半桥配置（功率级 5x6）。

产品优势

  • 通过减少多相转换器中的相数来节省整体系统成本
  • 降低功率损耗并提高所有负载条件下的效率
  • 使用最小封装（如 CanPAK ™ 、S3O8 或系统级封装解决方案）节省空间
  • 最大限度地降低系统中的 EMI，使外部缓冲网络变得过时，并使产品易于设计

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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