不建议用于新设计
符合RoHS标准

BSC019N04LST

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 具有增强的温度额定值，可提高稳健性
数据手册
封装

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BSC019N04LST
BSC019N04LST
数据手册

商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    161 A
  • ID (@25°C) max
    161 A
  • IDpuls max
    644 A
  • Ptot max
    94 W
  • QG (typ @10V)
    41 nC
  • QG (typ @4.5V)
    21 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2.7 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1.9 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.54 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.72
OPN
BSC019N04LSTATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 采用最新的技术，并在封装温度方面进行了改进。这种新的组合可实现更高的功率密度和更高的耐用性。 与额定值较低的器件相比，175°C TJ_MAX 功能要么在更高的工作结温下提供更多的功率，要么在相同的工作结温下提供更长的使用寿命。

特性

  • 低 RDS(on)
  • 针对同步整流进行了优化
  • SuperSO8 增强了 175°C 耐温能力

产品优势

  • 更长的使用寿命
  • 最高的效率和功率密度
  • 最高的系统可靠性
  • 热稳定性

应用

文档

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