BSC0702LS
不建议用于新设计
符合RoHS标准

BSC0702LS

OptiMOS ™低压功率 MOSFET - 完美满足充电器和适配器设计的需求
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封装
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BSC0702LS
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商品详情

  • Ciss
    3300 pF
  • Coss
    670 pF
  • 最高 ID
    100 A
  • 最高 IDpuls
    400 A
  • 最高 Ptot
    83 W
  • QG (typ @4.5V)
    24 nC
  • QG (typ @10V)
    43 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.7 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    3.9 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V LL)
    3.9 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 RthJC
    1.5 K/W
  • Rth
    1.5 K/W
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) (typ) 范围
    1.1 V 至 2.3 V
  • VGS(th) (typ)
    1.7 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SuperSO8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N

OPN
BSC0702LSATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,MY
晶圆产地
AT,DE
视图替换

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,MY
晶圆产地
AT,DE
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OptiMOS ™ PD 功率 MOSFET 是英飞凌针对 USB-PD 和适配器应用的产品组合。该产品具有快速提升和优化交货时间的特点。用于电力传输的 OptiMOS ™低压 MOSFET 可减少设计中的零件数量，从而降低 BOM 成本。OptiMOS ™ PD 以优质产品为特色，具有一流的性能，适用于紧凑、轻量级封装的差异化设计。单击此处查看完整产品组合。

特性

  • 逻辑电平可用性
  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 低栅极、输出和反向恢复电荷
  • 出色的热性能
  • 提供 2 种小型标准封装

产品优势

  • 快速报价响应
  • 最高效率和功率密度设计
  • 紧凑、轻便、环保的产品
  • 卓越的性价比

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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