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BSC105N10LSF G

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BSC105N10LSF G
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数据手册

商品详情

  • Ciss
    2900 pF
  • Coss
    730 pF
  • ID max
    90 A
  • IDpuls max
    360 A
  • Ptot max
    156 W
  • QG (typ @10V)
    40 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    10.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    14.1 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    14.1 mΩ
  • Rth
    0.8 K/W
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th) (typ)
    1.85 V
  • Package
    SuperSO8
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.54
OPN
BSC105N10LSFGATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 100V OptiMOS ™功率 MOSFET 为高效率、高功率密度 SMPS 提供了卓越的解决方案。与第二好的技术相比，该系列的 R DS(on) 和 FOM (品质因数) 均降低了 30%。

特性

  • 卓越的开关性能
  • 全球最低的 RDS(on)
  • 极低的 Qg 和 Qgd
  • 卓越的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)
  • 符合 RoHS 标准 - 无卤素
  • MSL1 评级为 2

产品优势

  • 环保
  • 提高效率
  • 最高功率密度
  • 所需并联更少
  • 最小的电路板空间消耗
  • 易于设计的产品

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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