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停产
已停产
符合RoHS标准

BSC430N25NSFD

停产
采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 175°C 功率 MOSFET
数据手册
封装

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BSC430N25NSFD
BSC430N25NSFD
数据手册

商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    36 A
  • ID (@25°C) max
    36 A
  • IDpuls max
    144 A
  • Ptot max
    214 W
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    43 mΩ
  • VDS max
    250 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Fast Diode
  • Budgetary Price €/1k
    1.95
OPN
BSC430N25NSFDATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS ™ MOSFET 扩展了 OptiMOS ™ 3 和 5 产品组合，除了提高稳健性之外，还实现了更高的功率密度，满足了降低系统成本和提高性能的需求。低反向恢复电荷 (Qrr) 可显著降低电压过冲，从而提高系统可靠性，最大限度地减少对缓冲电路的需求，从而减少工程成本和工作量。

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