BSD816SN

采用 SOT363 封装的 N 沟道小信号 MOSFET 20 V
数据手册

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BSD816SN
BSD816SN
数据手册

商品详情

  • Ciss
    126 pF
  • Coss
    47 pF
  • ID max
    1.4 A
  • IDpuls max
    5.6 A
  • Ptot max
    0.5 W
  • QG
    0.6 nC
  • RDS (on) (@1.8V) max
    240 mΩ
  • RDS (on) (@2.5V) max
    160 mΩ
  • RthJA max
    250 K/W
  • VDS max
    20 V
  • VGS(th)
    0.3 V to 0.95 V
  • Package
    SOT-363
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合，这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力，非常适合各种应用，包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 超逻辑电平
  • 雪崩额定
  • 快速开关
  • Dv/dt额定
  • 无铅镀铅
  • 符合RoHS标准，不含卤素
  • 符合汽车标准
  • 支持PPAP

产品优势

  • 低 RDS(on) 提供更高效率并延长电池寿命
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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