现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

BSR802N

采用 SC-59 封装的 N 沟道小信号 MOSFET 20 V
数据手册
封装

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BSR802N
BSR802N
数据手册

商品详情

  • Ciss
    1013 pF
  • Coss
    290 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    3.7 A
  • 最高 IDpuls
    14.8 A
  • 最高 Ptot
    0.5 W
  • QG
    4.7 nC
  • 最高 RDS (on) (@1.8V)
    32 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@2.5V)
    23 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    23 mΩ
  • 最高 RthJA
    250 K/W
  • 最高 VDS
    20 V
  • VGS(th) 范围
    0.3 V 至 0.75 V
  • 封装
    SC59
  • 最高 工作温度
    150 °C
  • 最低 工作温度
    -55 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Small Signal
  • 预算价格€/1k
    0.13
推荐的
OPN
BSR802NL6327HTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SC59-3
封装名 SC-59
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SC59-3
封装名 SC-59
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合，这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。凭借无与伦比的可靠性和制造能力，这些组件非常适合各种应用，包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 超逻辑电平
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • dv/dt 额定值
无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合汽车标准
  • 支持 PPAP

产品优势

  • 低 RDS(on)，效率高
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }