现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

BSS192P

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-250 V，SOT-89
数据手册
封装

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BSS192P
BSS192P
数据手册

商品详情

  • Ciss
    83 pF
  • Coss
    13 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    0.19 A
  • 最高 IDpuls
    -0.19 A
  • 最高 Ptot
    1 W
  • QG (typ @10V)
    -4.9 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    12000 mΩ
  • 最高 RthJA
    125 K/W
  • Rth
    125 K/W
  • 最高 VDS
    -250 V
  • VGS(th) 范围
    -1 V 至 -2 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-89
  • 最高 工作温度
    150 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 极性
    P
  • 模式
    Enhancement
  • 特殊功能
    Small Power
  • 预算价格€/1k
    0.13
推荐的
OPN
BSS192PH6327FTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOT89-4
封装名 SOT-89
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOT89-4
封装名 SOT-89
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合，这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。凭借无与伦比的可靠性和制造能力，这些组件非常适合各种应用，包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • dv/dt 额定值
无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合汽车标准
  • 支持 PPAP

    • 产品优势

    • 高效率和延长电池寿命
    • 小型封装节省 PCB 空间
    • 一流的质量和可靠性

    应用

    文档

    文档

    设计资源

    合作伙伴解决方案

    开发者社区

    { "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }