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每件.
有存货
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BSZ086P03NS3E G
每件.
商品详情
-
Ciss3190 pF
-
Coss1520 pF
-
ID (@25°C) max-40 A
-
IDpuls max-160 A
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Ptot max69 W
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QG (typ @10V)43.2 nC
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RDS (on) (@10V) max8.6 mΩ
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Rth1.8 K/W
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VGS(th)-2.5 V
-
PackagePQFN 3.3 x 3.3
-
Operating Temperature max150 °C
-
Operating Temperature min-55 °C
-
PolarityP
-
Budgetary Price €/1k0.26
| 受到推崇的 | ||
|
OPN
|
BSZ086P03NS3EGATMA1 | |
| 产品状态 | active and preferred | |
| 英飞凌封装名称 | PG-TSDSON-8 | |
| 封装名 | PQFN 3x3 | |
| 包装尺寸 | 5000 | |
| 包装类型 | TAPE & REEL | |
| 湿度 | 1 | |
| 防潮包装 | NON DRY | |
| 无铅 | No | |
| 无卤素 | Yes | |
| 符合RoHS标准 | Yes | |
|
Infineon stock last updated:
|
每件. 有存货 | |
|
|
||
|
|
||
|
|
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | PG-TSDSON-8 |
| 封装名 | PQFN 3x3 |
| 包装尺寸 | 5000 |
| 包装类型 | TAPE & REEL |
| 湿度 | 1 |
| 防潮包装 | NON DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
每件.
有存货
英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。
特性
- 增强模式
- 正常、逻辑或超逻辑电平
- 雪崩额定
- 无铅镀铅；符合 RoHS 标准