CY14B101KA-ZS25XI

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CY14B101KA-ZS25XI
CY14B101KA-ZS25XI

商品详情

  • 实时时钟
    Y
  • 密度
    1024 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 看门狗定时器
    Y
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 警报
    Y
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14B101KA-ZS25XI是一款1 Mbit(128K×8)并行nvSRAM,集成实时时钟,采用QuantumTrap非易失单元。器件单电源2.7 V至3.6 V,工作温度-40°C至85°C,访问时间25 ns。数据保持20年并支持100万次STORE,掉电自动STORE仅需小VCAP电容。封装为44引脚TSOP II。

特性

  • 1 Mbit nvSRAM+QuantumTrap
  • 掉电AutoStore经VCAP
  • HSB引脚硬件STORE
  • 地址序列SW STORE/RECALL
  • 全单元并行STORE/RECALL
  • SRAM读写次数无限
  • 非易失单元RECALL无限
  • QuantumTrap可STORE 1M次
  • 数据保持20年
  • RTC含闰年跟踪
  • RTC闹钟带INT输出
  • RTC备份电流0.35 µA典型

产品优势

  • 掉电自动保存数据
  • 小电容即可无需电池存储
  • HSB实现即时保存
  • 软件序列免额外接口
  • 并行传输缩短保存时间
  • 保持SRAM级高速访问
  • 恢复状态不受磨损限制
  • 高耐久适合日志记录
  • 长保持减少维护
  • 断电仍保持时间日期
  • 闹钟/INT支持定时唤醒
  • 低备份电流延长寿命

应用

文档

设计资源

开发者社区

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