现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B101LA-BA45XI

数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B101LA-BA45XI
CY14B101LA-BA45XI
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128K x 8
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY14B101LA-BA45XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
包装尺寸 598
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
包装尺寸 598
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY14B101LA-BA45XI是一款1 Mbit（128 K×8）并行nvSRAM，在每个存储单元中集成QuantumTrap非易失存储与高速SRAM。单电源2.7 V至3.6 V，−40°C至85°C工作，访问时间45 ns。掉电时通过61 µF至180 µF的VCAP自动STORE，并支持硬件或软件STORE/RECALL，20年数据保持及100万次STORE循环，封装为48-ball FBGA。

特性

  • QuantumTrap nvSRAM架构
  • 1 Mbit SRAM带非易失存储
  • 掉电AutoStore用VCAP
  • HSB引脚或软件STORE
  • 上电或软件触发RECALL
  • tSTORE最大8 ms
  • tHRECALL最大20 ms
  • tRECALL最大200 µs
  • VCC 2.7 V到3.6 V
  • 数据保持20年
  • 非易失STORE 1000K次
  • VCC<2.65 V禁止写入

产品优势

  • 突然掉电仍可保存数据
  • 减少NVM管理固件工作
  • 上电后快速恢复数据
  • 软硬件均可控制存取
  • 保存时间可预测(≤8 ms)
  • 上电恢复可预测(≤20 ms)
  • 掉电/欠压防误写
  • 3 V电源适配常见系统
  • 20年保持适合记录存储
  • 100万次STORE可频繁保存
  • 无限SRAM读写适合高频
  • HSB忙信号简化时序

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }