CY14B101LA-BA45XIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B101LA-BA45XIT

封装

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CY14B101LA-BA45XIT
CY14B101LA-BA45XIT

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128K x 8
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY14B101LA-BA45XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B101LA-BA45XIT是一款 1 Mbit (128 K × 8) 并行 nvSRAM，它将快速 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器结合在每个存储单元中。 它使用外部 61–180 µF VCAP 电容器在掉电时执行自动存储，STORE/RECALL也由软件或 HSB 引脚触发。 工作电压范围为 2.7 V 至 3.6 V，工作温度范围为 -40°C 至 85°C，具有 45 ns 的访问时间、20 年的保持时间和 1,000K 的存储耐久性，采用 48 球 FBGA 封装。

特性

  • QuantumTrap nvSRAM 架构
  • 1Mbit SRAM，带非易失性存储器
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 通过 HSB 引脚或软件 seq 存储
  • 通过乘方上或软件序列召回
  • tSTORE 最大 8 毫秒
  • tHRECALL 最大 20 毫秒
  • tRECALL 最大 200 微秒
  • 电路供电电压 2.7 V 至 3.6 V
  • 数据保留期限 20 年
  • 1,000 K 非易失性存储循环
  • 低电平电路供电电压抑制低于 2.65 V

产品优势

  • 突然掉电时仍能保持数据
  • 减少用于NVM管理的固件工作量
  • 供电恢复后快速恢复数据
  • 支持硬件和软件控制
  • 可预测的保存时间（最长 8 ms）
  • 可预测的上电回读/恢复时间（20 ms）
  • 欠压/掉电（brownout）期间不会发生写入损坏
  • 3V电源适用于常见的逻辑电源轨
  • 20 年数据保持，适合数据记录应用
  • 100 万次 STORE，支持频繁保存
  • 无限SRAM读写，适合高频访问
  • Busy 标志 (HSB) 简化了时序控制

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区