CY14B101LA-ZS25XI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY14B101LA-ZS25XI

数据手册
封装

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CY14B101LA-ZS25XI
CY14B101LA-ZS25XI
数据手册


商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    25 ns

推荐的
OPN
CY14B101LA-ZS25XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 270
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 270
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B101LA-ZS25XI 是一款 1 Mbit (128 K × 8) 并行 nvSRAM，它将快速 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器相结合。其工作电压范围为 2.7 V 至 3.6 V，访问时间为 25 ns，支持无限次 SRAM 读/写/RECALL 循环。 它规定数据保存期为 20 年，可进行 1,000 K 次非易失性 STORE 操作。AutoStore 使用 61–180 µF VCAP 电容器在掉电时保存数据，而 RECALL 在上电时恢复数据。

特性

  • QuantumTrap nvSRAM 架构
  • 1Mbit SRAM，带非易失性存储器
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 通过 HSB 引脚或软件 seq 存储
  • 通过乘方上或软件序列召回
  • tSTORE 最大 8 毫秒
  • tHRECALL 最大 20 毫秒
  • tRECALL 最大 200 微秒
  • 电路供电电压 2.7 V 至 3.6 V
  • 数据保留期限 20 年
  • 1,000 K 非易失性存储循环
  • 低电平电路供电电压抑制低于 2.65 V

产品优势

  • 突然掉电时仍能保持数据
  • 减少用于NVM管理的固件工作量
  • 供电恢复后快速恢复数据
  • 支持硬件和软件控制
  • 可预测的保存时间（最长 8 ms）
  • 可预测的上电回读/恢复时间（20 ms）
  • 欠压/掉电（brownout）期间不会发生写入损坏
  • 3V电源适用于常见的逻辑电源轨
  • 20 年数据保持，适合数据记录应用
  • 100 万次 STORE，支持频繁保存
  • 无限SRAM读写，适合高频访问
  • Busy 标志 (HSB) 简化了时序控制
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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