现货，推荐
符合RoHS标准

CY14B101LA-ZS25XI

数据手册
封装
每件.
有存货

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CY14B101LA-ZS25XI
CY14B101LA-ZS25XI
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14B101LA-ZS25XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 270
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 270
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY14B101LA-ZS25XI是一款1 Mbit（128 K×8）并行nvSRAM，将高速SRAM与QuantumTrap非易失存储集成。工作电压2.7 V至3.6 V，访问时间25 ns，支持SRAM读/写/RECALL无限次循环。数据保持20年，非易失STORE次数1,000 K。掉电时通过61–180 µF的VCAP电容自动AutoStore，上电自动RECALL恢复数据。

特性

  • QuantumTrap nvSRAM架构
  • 1 Mbit SRAM带非易失存储
  • 掉电AutoStore用VCAP
  • HSB引脚或软件STORE
  • 上电或软件触发RECALL
  • tSTORE最大8 ms
  • tHRECALL最大20 ms
  • tRECALL最大200 µs
  • VCC 2.7 V到3.6 V
  • 数据保持20年
  • 非易失STORE 1000K次
  • VCC<2.65 V禁止写入

产品优势

  • 突然掉电仍可保存数据
  • 减少NVM管理固件工作
  • 上电后快速恢复数据
  • 软硬件均可控制存取
  • 保存时间可预测(≤8 ms)
  • 上电恢复可预测(≤20 ms)
  • 掉电/欠压防误写
  • 3 V电源适配常见系统
  • 20年保持适合记录存储
  • 100万次STORE可频繁保存
  • 无限SRAM读写适合高频
  • HSB忙信号简化时序

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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