CY14B101PA-SFXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B101PA-SFXI

数据手册
封装

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CY14B101PA-SFXI
CY14B101PA-SFXI
数据手册

商品详情

  • 实时时钟
    Y
  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 看门狗定时器
    Y
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 警报
    Y
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
CY14B101PA-SFXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (51-85022)
封装尺寸 920
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (51-85022)
封装尺寸 920
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B101PA-SFXI 是一款 1 Mbit (128K × 8) SPI nvSRAM，带有集成实时时钟。它在掉电时将 SRAM 数据存储到 QuantumTrap 非易失性元件中（自动存储），并在上电时RECALL它，在 85°C 下可保持 20 年，并可进行 100 万次存储循环。 工作电压范围为 2.7 V 至 3.6 V，40 MHz 时电流为 3 mA，支持 SPI 模式 0/3，40 MHz 读/写，最高读取频率可达 104 MHz，采用 16 引脚 SOIC 封装。

特性

  • 1 Mbit nvSRAM，128K × 8
  • 存储到 QuantumTrap 非易失性存储器
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 乘方向上或通过 SPI 命令调用
  • SPI 最高支持 104 MHz（快速读取）
  • 支持SPI模式0和模式3
  • 40 MHz 时平均有 3 mA 电源
  • 待机电流250 µA
  • 睡眠模式电流 8 µA
  • 通过 WP 引脚进行硬件写保护
  • 功能块保护1/4、1/2、全
  • RTC 闹钟、WDT、SQW 1 Hz-32 kHz

产品优势

  • 具备 SRAM 速度，并提供非易失备份
  • 可在断电时自动保存数据
  • 通过 VCAP 电容实现备份 STORE
  • 数据自动恢复，上电后快速重启
  • 104 MHz SPI 提升吞吐量
  • 轻松适配标准SPI主机
  • 低至 3 mA 的工作电流降低活动功耗
  • 250 µA 待机电流降低空闲功耗
  • 8 µA 睡眠电流节省电池能量
  • WP 引脚防止意外写入
  • 块保护机制保护关键数据
  • 集成 RTC，减少额外时钟芯片需求

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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