CY14B101Q2-LHXIT
现货，推荐
符合RoHS标准

CY14B101Q2-LHXIT

数据手册
封装

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CY14B101Q2-LHXIT
CY14B101Q2-LHXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    SPI
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
CY14B101Q2-LHXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (001-50671)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (001-50671)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B101Q2-LHXIT是一款 1 Mbit (128K × 8) 串行 SPI nvSRAM，它在每个存储单元中将 SRAM 和 QuantumTrap 非易失性存储相结合。 它支持 SPI 模式 0 和 3，SCK 最高可达 40 MHz，工作电压范围为 2.7 V 至 3.6 V，并使用外部 61 µF 至 180 µF VCAP 进行掉电时的自动存储，以及上电 RECALL 恢复。 它采用 8-pin DFN 包装。 耐久性为 100 万次 STORE 循环和 20 年的保存期。

特性

  • 1 Mbit nvSRAM，128K × 8 阵列
  • QuantumTrap 非易失性信元
  • 电源恢复时自动存储
  • 通过 SPI 命令进行软件存储
  • 乘方向上召回
  • 通过SPI命令进行软件召回
  • SPI时钟频率最高可达40MHz
  • 支持 SPI 模式 0 和 3
  • 2.7 V 至 3.6 V 电路供电电压操作
  • 40 MHz 时平均电源电流 10 mA
  • 20 年数据保留
  • 1,000 K 非易失性存储循环

产品优势

  • 无需电池即可保留数据
  • 在意外电量丢失时保存数据
  • 软件控制减少额外的引脚
  • 恢复上次状态
  • 40 MHz SPI 加快系统传输速度
  • 兼容通用SPI主控
  • 适用于标准 3V 电源轨
  • 10 mA 工作电流降低功耗
  • 20 年数据保持时间降低维护成本
  • 高 STORE 耐久性，适用于数据记录
  • NV + SRAM 集成可降低物料清单
  • 写保护机制防止数据损坏
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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