CY14B101Q2A-SXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B101Q2A-SXI

具有宽工作范围和工业认证的高密度 1 Mbit SPI nvSRAM
数据手册
封装

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CY14B101Q2A-SXI
CY14B101Q2A-SXI
数据手册


商品详情

  • Frequency
    40 MHz
  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY14B101Q2A-SXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066 )
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
PH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066 )
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
PH
晶圆产地
US
CY14B101Q2A-SXI是一款 1 Mbit (128K × 8) SPI nvSRAM，它将 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器相结合，在断电时会自动保留数据。 其工作电压范围为 2.7V 至 3.6V，工作温度范围为 -40°C 至 85°C，支持掉电时自动存储，并允许通过 SPI 进行软件STORE/RECALL。 该器件提供 40 MHz SPI 模式 0/3、150 µA 待机、硬件 WP 写保护和 8 字节序列号。

特性

  • 1Mbit nvSRAM，组织结构为 128K x 8
  • 量子阱非易失性元素
  • 电源恢复时自动存储（部分）
  • 通过 SPI 进行软件存储/调用
  • 通过 HSB 引脚进行硬件存储
  • 乘方向上 RECALL 恢复 SRAM
  • SPI时钟频率最高可达104 MHz
  • 支持SPI模式0和模式3
  • 8 字节序列号访问/访问
  • 制造商 ID 和产品 ID
  • 通过 WP 引脚进行写保护
  • 功能块保护：1/4、1/2、全

产品优势

  • SRAM 速度级的读写
  • 断电后保留数据
  • AutoStore 可减少断电造成的损失
  • SPI STORE/RECALL降低固件工作量
  • HSB 启用事件触发的保存
  • 上电 RECALL 实现快速重启
  • 104 MHz SPI 数据传输速度
  • 模式 0/3 适用于多种 MCU
  • 序列号支持可追溯性
  • 器件 ID 使能自动检测设置
  • WP 引脚有助于防止错误写入
  • 块保护机制保护关键数据

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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