CY14B104NA-BA45XIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B104NA-BA45XIT

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B104NA-BA45XIT
CY14B104NA-BA45XIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY14B104NA-BA45XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B104NA-BA45XIT 是一款 4 Mbit nvSRAM，存储结构为 256K × 16，结合了快速 SRAM 和 QuantumTrap 非易失性存储。它的工作电压为 2.7V 至 3.6V，温度范围为 -40°C 至 85°C，并支持 45 ns 访问。 掉电时，使用 61 µF 至 180 µF VCAP 电容器自动存储数据，也可通过软件或 HSB 引脚进行STORE/RECALL。 额定STORE周期为 100 万次， 48 球 FBGA，数据可保持 20 年。

特性

  • 4-Mbit nvSRAM、SRAM 接口
  • 电源恢复时自动存储
  • 通过乘方向上或软件召回
  • 通过软件或硬件存储
  • 量子阱非易失性元素
  • 2.7V 至 3.6V 单电源
  • 工作温度-40°C至+85°C
  • 20 年数据保留
  • 1,000 K 非易失性存储操作
  • VCAP 外部电容 61–180 µF
  • VSWITCH 低电平 V 触发 2.65 V
  • 存储持续时间 tSTORE 最大 8 毫秒

产品优势

  • 类似 SRAM 的即时访问时间
  • 无需固件实现掉电保存
  • 上电后可快速恢复
  • 灵活的保存控制选项
  • NVM可靠性高于EEPROM
  • 适用于稳压3V电源轨
  • 在严苛温度下稳定运行
  • 长保持时间可保护配置数据
  • 高耐久度支持频繁保存
  • 小电容即可实现无电池备份的保存
  • 可预测的欠压保存触发点
  • STORE 时间短，减少停机时间

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区