现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B104NA-ZS25XIT

数据手册
封装

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CY14B104NA-ZS25XIT
CY14B104NA-ZS25XIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14B104NA-ZS25XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B104NA-ZS25XIT是一款4 Mbit nvSRAM（256K × 16），将高速SRAM与QuantumTrap非易失存储集成在单个存储单元中。器件单电源2.7 V至3.6 V工作，温度范围-40°C至+85°C，访问时间25 ns。掉电时通过外接68 uF的VCAP电容自动STORE，上电自动RECALL；支持20年数据保持、100万次STORE循环，以及SRAM无限次读写。

特性

  • 4 Mbit nvSRAM，SRAM接口
  • 掉电自动STORE
  • 上电或软件RECALL
  • 软件或引脚触发STORE
  • QuantumTrap非易失单元
  • 2.7 V到3.6 V单电源
  • 工作温度-40°C到+85°C
  • 数据保持20年
  • 非易失STORE 1,000 K次
  • VCAP电容61–180 µF
  • 低压触发VSWITCH=2.65 V
  • STORE时间tSTORE≤8 ms

产品优势

  • 保持SRAM级即时访问
  • 掉电保存无需固件
  • 上电快速恢复数据
  • 保存控制方式更灵活
  • 可靠性优于EEPROM
  • 适配3 V稳压电源
  • 严苛温度下稳定工作
  • 长期保持保护配置
  • 支持频繁保存场景
  • 小电容实现免电池保存
  • 可预测的掉电触发保存
  • STORE时间短减少停机

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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