请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
停产
已停产
符合RoHS标准

CY14B104NA-ZS45XE

停产
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B104NA-ZS45XE
CY14B104NA-ZS45XE
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    45 ns
OPN
CY14B104NA-ZS45XE
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 135
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 135
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B104NA-ZS45XE是一款4-Mbit（256K×16）车规并行nvSRAM，将高速SRAM与QuantumTrap非易失存储集成。工作电压3.0 V至3.6 V、温度–40°C至+125°C，支持45 ns访问；断电自动AutoStore（VCAP电容61 µF至180 µF）。提供44引脚TSOP II封装，STORE/RECALL可由软件或HSB引脚触发。

特性

  • 4 Mbit nvSRAM(256K×16)
  • 16位总线含BHE/BLE
  • 25 ns/45 ns异步访问
  • 掉电自动STORE(VCAP)
  • HSB引脚或软件STORE
  • 上电或软件RECALL
  • 全单元并行STORE/RECALL
  • VCAP电容61–180 µF
  • STORE/RECALL时HSB忙信号
  • STORE/RECALL期间禁读写
  • SRAM读写/RECALL无限次
  • 最多1,000K次非易失STORE

产品优势

  • 兼具SRAM速度与非易失备份
  • 掉电自动保存关键数据
  • 软/HSB触发方式更灵活
  • 上电快速恢复系统状态
  • 并行操作减少停机时间
  • 字节使能减少总线活动
  • VCAP选型明确易导入
  • HSB忙信号避免数据损坏
  • 更新NVM时防止误读写
  • SRAM无限循环避免磨损
  • 高STORE耐久降低维护
  • 长保持期断电仍保数据

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }