现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B108K-ZS25XIT

数据手册
封装

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CY14B108K-ZS25XIT
CY14B108K-ZS25XIT
数据手册

商品详情

  • 实时时钟
    Y
  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 看门狗定时器
    Y
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 8
  • 警报
    Y
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14B108K-ZS25XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B108K-ZS25XIT是一款8 Mbit（1024 K×8）nvSRAM，集成实时时钟。器件将SRAM与QuantumTrap非易失存储结合，支持掉电自动STORE、上电RECALL，并可由软件或HSB引脚触发STORE。支持1,000 K次STORE循环与20年数据保持，工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围−40至85°C，25 ns访问时间，44引脚TSOP II封装。

特性

  • 8-Mbit nvSRAM集成RTC
  • 1024 K×8或512 K×16
  • 掉电自动AutoStore
  • 软件或HSB触发STORE
  • 软件或上电触发RECALL
  • QuantumTrap非易失单元
  • 非易失STORE 1,000 K次
  • 数据保持20年
  • VCC 2.7 V至3.6 V
  • RTC备份电流最大0.5 uA
  • RTC电池输入1.8 V至3.6 V
  • 读周期时间25 ns或45 ns

产品优势

  • SRAM无需电池也可保数据
  • 掉电自动保存无需软件
  • 保存/恢复控制更灵活
  • 非易失技术提升可靠性
  • 高STORE耐久适合日志
  • 20年保持降低维护风险
  • 3 V电源适配常见系统
  • RTC备份低功耗更省电
  • 支持纽扣电池或超级电容
  • SRAM快速读适合实时任务
  • 上电RECALL快速恢复状态
  • 集成RTC减少外部器件

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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