现货，推荐
符合RoHS标准

CY14B108N-ZSP45XI

数据手册
封装
每件.
有存货

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CY14B108N-ZSP45XI
CY14B108N-ZSP45XI
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY14B108N-ZSP45XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装尺寸 540
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装尺寸 540
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY14B108N-ZSP45XI是一款8-Mbit nvSRAM（512 K × 16），在每个存储单元集成QuantumTrap非易失存储，实现SRAM级读写。支持45 ns访问时间，电源2.7 V至3.6 V，工业温度−40°C至+85°C。掉电时通过150 µF VCAP电容自动STORE，上电自动RECALL，支持1,000 K次STORE和20年数据保持，适合配置数据。

特性

  • 8 Mbit nvSRAM，SRAM接口
  • 访问时间最低20 ns
  • 掉电自动AutoStore
  • 软件或HSB引脚触发STORE
  • 上电或软件触发RECALL
  • QuantumTrap非易失单元
  • 数据保持20年
  • STORE耐久1,000K次
  • 单3 V供电2.7 V到3.6 V
  • VCAP电容122 uF到360 uF
  • 低于2.65 V禁读写
  • 上电RECALL时间20 ms

产品优势

  • 无需电池也有SRAM速度
  • 20 ns降低访问延迟
  • 关机自动保存数据
  • 备份触发方式灵活
  • 来电快速恢复数据
  • QuantumTrap备份更可靠
  • 无需刷新长期保存
  • 频繁掉电也耐用
  • 3 V供电简化电源
  • 小电容即可实现备份
  • 掉电阈值防止损坏
  • 20 ms RECALL加快启动

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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